«Материалдардың радиациялық физикасы» ҒО
1984 жылы К.Ш. Шункеевтің бастамасы бойынша люминесценцияның табиғатын және сілтілігалоидты кристалдардағы (СГК) радиациялық ақаулардың түзілу механизмдерін зерттейтін ғылыми орталық құрылды.
Академик Лущик Чеслав Брониславовичтің тікелей қолдауымен зертхана ғылыми бағытын нақтылады және абсорбциялық, люминесцентті және термоактивациялық спектроскопия, сонымен қатар тордың симметриясын төмендету кезінде иондық өткізгіштікті және кристалдардың термоынталандырылған деполаризация токтарын тіркеуді қамтамасыз етуге арналған эксперименттік қондырғыларды құруға қажетті құралдармен жабдықталды.
Біз жасақтаған әмбебап криостат Эстонияның Тарту университетінің физика институтының құрылыстық бюросында дайындалды.
Ғылыми зерттеулердің бағыттары:
• Абсорбциялық, люминесцентті және термоактивациялық спектроскопия, сонымен қатар тордың симметриясын төмендету кезінде иондық өткізгіштікті және кристалдардың термоынталандырылған деполаризация токтарын тіркеу әдістерімен эксперименталды зерттеу.
• Тор симметриясын төмендету кезінде сілтілігалоидты кристалдардағы электрондық қозулардың өздігінен қармалу процестерін теориялық зерттеу.
• Тор симметриясын төмендету кезінде сілтілігалоидты кристалдардағы радиациялық ақаулардың пайда болу механизмдерін компьютерлік модельдеу.
• Әлсіз байланысқан асқынөткізгіштердегі ток транспорты мен флуктуациялық асқынөткізгіштікті теориялық зерттеу мен компьютерлік модельдеу.
• Ақтөбе облысы Мұғалжар ауданы аймағындағы диатомит қорлары бойынша заманауи геологиялық картаны құру технологиясын жасақтау («Жалпак» аумағы).
Халықаралық ынтымақтастық мынадай ұйымдармен жүзеге асырылады:
• Тарту университеті, Эстония (University of Tartu, Estonia),
• Гданьск университеті, Польша (University of Gdansk, Poland),
• Латвия университеті (University of Latvia, Riga),
• М. Ломоносов атындағы Мәскеу мемлекеттік университеті (Мәскеу, Ресей),
• А. Ф. Иоффе атындағы физика-техникалық институт РҒА (Санкт-Петербург, Ресей),
• Томск ұлттық зерттеу университеті (Томск, Ресей),
• Ресейдің бірінші президенті Б.Н.Ельцин атындағы Урал федералды университеті (Екатеринбург, Ресей),
• Кемерово мемлекеттік университеті (Кемерово, Ресей),
• Янка Купала атындағы Гродно мемлекеттік университеті (Гродно, Беларусь).
• National Laboratory Astana (Нұр-Сұлтан, Қазақстан).
Университеттің студенттері мен профессорлық-оқытушылық құрамының академиялық ұтқырлығы Гданьск (Польша) және Тарту (Эстония) университеттерде жүзеге асырылуда.
Ғылыми гранттар:
2003-2005 жж. «Тор симметриясының өзгеруі кезінде иондық-диэлектрлік жүйелердегі нүктелік ақаулардың пайда болу механизмдері мен олардың микроқұрылымын спектроскопиялық зерттеуін жүргізу».
2006-2008 жж. «Тор симметриясын төмендету кезінде шектелген өлшемді кең зоналық материалдардың люминесценттік қасиеттерін басқару».
2009-2011 жж. «Температуралардың кең диапазонында тор симметриясын төмендету кезінде иондық-диэлектрлік материалдардағы наноқұрылымды радиациялық ақаулардың қасиеттерін зерттеу».
2012-2014 жж. «Тор симметриясын төмендету кезінде сілтілігалоидты және асқынөткізгішті материалдардың физикалық қасиеттерін басқару технологиясын жасақтау».
2013-2015 жж. «Тор симметриясын төмендету кезінде сілтілігалоидты кристалдар негізінде электр желісін шоғырландыру технологиясы».
2015-2017 жж. «Сілтілігалоидты кристалл-сцинтилляторлардағы иондаушы радиация энергиясын трансформациялау механизмін басқару технологиясы».
2015-2017 жж. «Бекітілген люминесцентті сипаттамалары бар материалдар алу үшін тор симметриясын төмендету кезінде оксидтер, фторидтер және сілтілігалоидты кристалдардың оптикалық қасиеттерін басқару технологиясын жасақтау».
2020-2021 жж. «Табиғи диатомит шикізатын электрогидравликалық әдіспен байыту технологиясы».
2020-2022 жж. «Сілтілі галоидты кристалдар негізінде функционалды материалдардың люминесцентті сипаттамаларын жақсарту үшін электронды қозулардың радиациялық релаксациясына бағытталған әсер ету».
2020-2022 жж. «Бірегей электрлік және магниттік қасиеттері бар наножүйелердің кванттық тасымалдау сипаттамаларын зерттеу».
2020-2023 жж. «KI, RbI және CsI кристалдарының катион-гомологтармен және төмен температуралы деформациямен белсендірілген кездегі люминесценция механизмдерін эксперименттік зерттеу».
2020-2023 жж. «Ln2+, Ln3+, Ln4+ қоспаланған перовскиттер мен гранаттарға негізделген функционалды материалдарды спектроскопиялық зерттеу».
Келісімшарттық жұмыс:
2015 жылы «National Laboratory Astana» бірге «Ақтөбе облысы Мұғалжар ауданы аймағындағы диатомит қорлары бойынша заманауи геологиялық картаны құру технологиясын жасақтау («Жалпак» аумағы)» тақырыбы бойынша келісімшарттық жұмыс жүргізілді.
2019 жылы Янка Купала атындағы Гродно мемлекеттік университетімен Т тиофлавин люминесценциясы спектрлерінің және полимерлі пленкалардағы оның туындыларының температураға тәуелділігін өлшеу бойынша келісімшарттық жұмыс жүргізілді.
Диссертациялар:
Ғылыми орталық базасында бір докторлық (Шункеев К.Ш.), сегіз кандидаттық (Сармуханов Е.Т., Бекешев А.З., Тулепбергенов С.К., Сагимбаева Ш.Ж., Мясникова Л.Н., Бармина А.А., Сергеев Д.М., Бижанова К.Б.), үш PhD докторы (Жантурина Н.Н., Аймаганбетова З.К., Убаев Ж.К.) диссертациялары қорғалды.
КАДРЛАРДЫ ДАЯРЛАУ
Магистратура
7М01502 – Физика және 7М05301 – Физика мамандығының магистранттарының диссертацияларына ғылыми жетекшілік жүргізіледі
Докторантура
8D05301 – Физика мамандығының докторанттарының диссертацияларына ғылыми жетекшілік жүргізіледі.
Диссертациялық кеңес
1. Шункеев Куанышбек Шункеевич – ф.-м.ғ.д, профессор, (дисссертациялық кеңестің төрағасы);
2. Сергеев Даулет Максатович – ф.-м.ғ.к., Т. Ж. Бегельдинов атындағы Әуе Қорғаныс Күштері Әскери институтының профессоры (төраға орынбасары);
3. Сагимбаева Шынар Жанузаковна – ф.-м.ғ.к., қауымд. профессор (ғылыми хатшы);
4. Лисицын Виктор Михайлович – ф.-м.ғ.д., Томск Ұлттық зерттеу университетінің профессоры (Ресей);
Хирш индекстері:
• К.Ш. Шункеев – профессор - 10
• Д.М. Сергеев – профессор - 10
• Н.Н. Жантурина – қауымдастырылған профессор – 6
• Ш.Ж. Сагимбаева – қауымдастырылған профессор – 6
• Л.Н. Мясникова – қауымдастырылған профессор – 5
• З.К. Аймаганбетова – PhD, кафедра меңгерушісі – 5
• Ж.К. Убаев – PhD, кафедраның аға оқытушысы - 2
• А. Истляуп - докторант – 1
Жарияланымдар:
Зерттеу нәтижелері келесідей шетелдік журналдарда жарияланды:
• «Physics State Solid»
• «Journal of Luminescence»
• «Journal of Physics: Condensed Matter»
• «Radiation Measurements»
• «Физика твердого тела»
• «Journal of Applied Spectroscopy»
• «Russian Physics Journal»
• «Low Temperature Physics»
• «Journal of Physics: Conference Series»
• «Eurasian Journal of Physical and Functional Materials»
• «Latvian Journal of Physics and Technical Sciences»
• «Nuclear Instruments and Methods in Physics Research»
• «Journal of Nano- and Electronic Physics»
• «International Journal of Nanoscience»
ҚР патенттері:
2003
1. Шункеев К.Ш., Сармуханов Е.Т., Бекешев А.З., Сагимбаева Ш.Ж. Криостат для деформации кристаллов в широком интервале температур (80-500 К) / Предпатент РК № 14831. опубл. 25.03.03. № 2003/0399.1.
2. Шункеев К.Ш., Сармуханов Е.Т., Бекешев А.З., Сагимбаева Ш.Ж. Способ усиления собственной люминесценции щелочногалоидных кристаллов / Предпатент РК № 14383. опубл. 08.07.03. № 2003/0937.1.
2012
3. Шункеев К., Бармина А., Сармуханов Е., Бижанова К. Универсальный криостат для регистрации спектров поглощения кристаллов при низкой температуре под воздействием деформации и радиации // Патент РК № 26141. Заявка №2010/0304.1 Бюл. № 9 от 14.09.2012.
2014
4. Шункеев К., Нурмагамбетов А., Бармина А., Мясникова Л.Н., Сергеев Д., Жантурина Н. Универсальный криостат для регистрации низкотемпературной ионной проводимости и токов термостимулированной деполяризации деформированных и облученных кристаллов // Инновационный патент на изобретение РК. заявитель Актюб. гос. ун-т им. К. Жубанова. – № 28731; бюл. №7 15.07.2014.
2016
5. Шункеев К., Сергеев Д., Мясникова Л.Н., Бармина А., Аймаганбетова З.К. Способ определения низкотемпературных вакансионных дипольных дефектов в щелочногалоидных кристаллах методом термостимулированной деполяризации // Патент на изобретение РК. заявитель Актюб. гос. ун-т им. К. Жубанова. Опублик. 30.12. 2016. B(11) 31799; G01N 27/00 (2006/01)
2018
6. Патент на изобретение 33327 РК. Способ усиления люминесценции кристалла KCl путем активирования легкими катионами Na / Шункеев К., Мясникова Л., Бармина А., Сергеев Д., Жантурина Н., Сагимбаева Ш.; опубл. 30.11.2018
2019
7. Патент на изобретение 33557 РК. Способ усиления люминесценции кристалла La2O2S путем активирования редкоземельными ионами и воздействия высокого гидростатического сжатия / Шункеев К.Ш., Grinberg M., Жантурина Н.Н., Бармина А.А., Мясникова Л.Н.; опубл. 29.03.2019
8. Патент на полезную модель 4336 РК. Мыло кусковое с диатомитом / Шункеев К.Ш., Бекешев А.З., Курманбаев А.Ш., Мясникова Л.Н., Жубанышова М.; опубл. 01.10.2019.
2021
9. К.Ш. Шункеев, Л.Н. Мясникова, Ш.Ж. Сагимбаева, Ж.К. Убаев, А.Ю. Лицкевич, А.Е. Герман. Cпособ регистрации спектров термостимулированной люминесценции щелочногалоидных кристаллов // Патент на изобретение РК: заявитель Актюб. гос. ун-т им. К. Жубанова. Опублик. №34978 РК от 02.04.2021
10. К.Ш. Шункеев , Л.Н. Мясникова, Ш.Ж. Сагимбаева, Н.Н. Жантурина, З.К. Аймаганбетова, Ж.К. Убаев, А.Г. Маратова. Cпособ воздействия на длину свободного пробега экситонов в щелочногалоидных кристаллах // Патент на полезную модель РК: заявитель Актюб. гос. ун-т им. К. Жубанова. №5978 РК от 09.04.2021
11. Патент на полезную модель 6137 РК. Маска-скраб с диатомитом и алоэ / Сагимбаева Ш.Ж., Шункеев К.Ш., Жантурина Н.Н., Мясникова Л.Н., Аймаганбетова З.К., Истляуп А.С.; опубл. 11.06.2021.
12. Патент на полезную модель 6260 РК. Электрогидравлический способ обогащения диатомита / Тарковский В., Шункеев К.Ш., Сагимбаева Ш.Ж., Мясникова Л.Н.; Тастанова Л.К.
Авторлық куәліктер:
2021
1. А.Г. Маратова, К.Ш. Шункеев, Л.Н. Мясникова, Ж.К. Убаев. Ав. свидетельство: «Цифровая технология регистрации спектров фотолюминесценции, рентгенолюминесценции, туннельной люминесценции и термостимулированной люминесценции щелочногалоидных кристаллов», №12826. от 26. 10. 2020.
2. А.Г. Маратова, К.Ш. Шункеев, Л.Н. Мясникова, Ж.К. Убаев. Ав. свидетельство: Цифровая технология сканирования интегральной туннельной люминесценции и термостимулированной люминесценции щелочногалоидных кристаллов. №12980. от 03. 11. 2020.
Сыйлықтар мен сыйақылар:
• ҚР БҒМ Қ. Сатпаев атындағы сыйлық (Шункеев К.Ш., Сагимбаева Ш.Ж., Тулепбергенов С. К. Бекешев А. З.)
• ҚР БҒМ мемлекеттік ғылыми сыйақысы (Шункеев К.Ш.)
• Жас ғалымдарға арналған ҚР БҒМ мемлкеттік ғылыми сыйақысы (Сергеев Д.М., Бармина А.А.)
• Ақтөбе облысы Әкімінің сыйлығы (Бармина А.А., Мясникова Л.Н.)
• «Ақтөбе облысының үздік жас ғалымы – 2016, 2017» (2 орын) (Мясникова Л.Н., Жантурина Н.Н., Сергеев Д.М., Бармина А.А.)
• «ЖОО үздік оқытушысы» (Шункеев К.Ш. – 2011, Жантурина Н.Н. – 2017, Мясникова Л.Н. – 2018)
Монографиялар, еңбек жинақтары және оқулықтар:
Шункеев К.Ш. Релаксация электронных возбуждений в щелочногалоидных кристаллах при понижении симметрии решетки. – Актобе, 2008. – 436 с.
Шункеев К.Ш. Люминесценция и радиационные дефекты в щелочногалоидных кристаллах при понижении симметрии решетки. – Актобе, 2012. – 516 с.
Сергеев Д.М. Ангармонизм сверхпроводящего тока в джозефсоновских структурах. – Актобе, 2012.
Мясникова Л.Н. Люминесценция и экситон-фононное взаимодействие в щелочногалоидных кристаллах при низкотемпературной деформации». – Актобе, 2016. – 140 с.
Сагимбаева Ш.Ж. Технология управления механизмом трансформации энергии ионизирующей радиации в щелочногалоидных кристаллах-сцинтилляторах. – Актобе, 2017. – 120 с.
Бармина А.А. Люминесценция и радиационное дефектообразование в щелочногалоидных кристаллах-сцинтилляторах при понижении симметрии решетки. – Актобе, 2017. – 136 с.
Zhanturina N.N. The influence of temperature, deformation and cationic impurities on luminescent properties of alkali halide materials. – Aktobe, 2018.
Шункеев К.Ш., Grinberg M., Szczodrowski K., Mahlik S., Жантурина Н.Н., Мясникова Л.Н., Бармина А.А., Сагимбаева Ш.Ж. Сборник материалов по разработке технологии управления оптическими свойствами оксидов, фторидов и щелочногалоидных кристаллов при понижении симметрии решетки. – Актобе, 2017. – 112 с.
Жантурина Н.Н. Конденсиаланған күй физикасы: Оқу құралы. Ақтөбе: Қ.Жұбанов атындағы Ақтөбе өңірлік мемлекеттік университеті, 2017. – 140 б.
Zhanturina N., Myasnikova L. Fundamentals of mechanics: educational-methodical workbook. – Aktobe, 2018. – 105 p.
Shunkeyev K., Myasnikova L., Zhanturina N., Tilep A., Zinollin Zh. English-Kazakh-Russian dictionary of physical terms. – Aktobe, 2018. – 171 p.
Myasnikova L.N. Electricity and magnetism: educational-methodical workbook. – Aktobe, 2019. – 112 p.
Zhanturina N. Molecular physics. – Aktobe: Zhubanov Aktobe Regional State University, 2020. – 100 p.
Аймаганбетова З.К. Сілтілігалоидты материалдардағы деформациялық люминесценция және радиациялық ақаулар, Ақтөбе. – 2021.
Жаратылыстану-математикалық және қоғамдық-гуманитарлық бағыттағы жаңартылған мазмұн бойынша 10-11 сыныптарға арналған "Физика" оқулықтары дайындалды.
Р. Башарулы, Шункеев К. Ш., Л.Н.Аубакиров, Н.Н.Жантурина, Бармина А. А., З. Аймаганбетова. – Алматы: Атамұра, 2020.
Негізгі нәтижелер:
1. Тор симметриясын нүктелік ақаулар, пластикалық және серпімді біросьті деформациямен төмендету кезінде сілтілігалоидты кристалдардағы радиациялық ақаулардың пайда болу механизмедері мен люминесценция табиғатын зерттеу үшін абсорбциялық, люминесцентті және термоактивациялық спектроскопия, сонымен қатар иондық өткізгіштік пен кристалдардың термоынталандырылған деполаризация токтары әдістерімен эксперименталды қондырғылар жасақталды.
2. Жоғары техникалық вакуум жағдайында кристалды төмен температураларда деформациялауға және олардың люминесцентті, абсорбциялық және термоактивациялық сипаттамаларын, сондай-ақ иондық өткізгіштік пен термостимулирленген деполяризация токтарын тіркеуге мүмкіндік беретін ерекше криостат жасалып, патенттелген.
3. Төменгі температуралық серпімді деформациядағы сілтілігалоидты кристалдардағы өздігінен қармалған экситондардың қарқындылығын күшейту әсері алғаш рет анықталды және түсіндірілді, оның негізінде қазіргі заманғы сцинтилляциялық есептегіштерді іздестіру үшін қозу энергиясын трансформациялаусыз сілтілігалоидтық кристалдардың ішкі люминесценциясын күшейтудің жаңа әдісі ұсынылды.
4. Анықталған сілтілігалоидты кристалдардың меншікті люминесценция интенсивтілігін күшейту эффектісі Қазақстан Республикасында патенттелген. Тіркеу номері №14383.
5. Кристалдардың термоынталандырылған деполяризациясын жазу негізінде, тұрақты ток электр энергиясын жинақтауға кеңінен қолданылатын дипольдық ақаулардың қайта бағдарлануы арқылы түсіндірілетін, жеңіл гомолог-катиондармен белсендірілген поляризациялық токтар анықталды.
6. Жеңіл галоген-катиондар өрісі арқылы СГК торының локальды симметриясын төмендету, пластикалық деформацияның бос ақауларын және төментемпературалық серпімді деформацияның кернеуін төмендету арқылы түйінаралық галоген атомдарының бірігуі нәтижесінде Х_3^-- орталықтарының тиімді қалыптасуы үшін механизм құрылды.
7. Өндірісте қолданылатын, сілтілігалоидты кристалдардың сцинтилляциялық сипаттамаларын айтарлықтай жақсартатын, жеңіл натрий қоспаларымен белсендірілген кристалдар негізінде электрон-кемтік жұптарды жинақтаудың жаңа физикалық принципі жасақталуда.
8. Силикатты, спектрофотометрлік, рентгендік-дифракциялық, рентгендік-спектрлік, химиялық, электронды-микроскопиялық талдау әдістерімен «Жалпақ» аймағы бойынша диатомиттік жыныстардың құрамы зерттелді. Зерттеу нәтижелері бойынша табиғи диатомит құрамындағы кремний екі оксидінің концентрация мәні анықталды, оның 72,69%-дан 78,14% арасында түрленуінен диатомиттік жыныстардың біртектілігін көрсетеді.
9. «Материалдардың радиациялық физикасы» ғылыми орталығының базасында заманауи «Evolution 300» спектрофотометрі көмегімен аморфты кремний (диатомит) мен SiO2, Al2O3 және Fe2O3 үш оксидті компоненттердің жұтылу спектрлерін (максимумы 305÷335 нм) тіркеу әдістемесі жасақталды.
Люминесценттік спектроскопия бойынша эксперименттік қондырғы
Көпфункционалды спектрлік кешен спектрлерді жоғары техникалық вакуум жағдайында бір осьті деформация әсерінен (ε=0,1÷1,2%) 200÷850 нм және температуралардың 85÷400 К кең спектрлі интервалда spectrascan және ThermoScan арнайы бағдарламаларымен басқарылатын, фотондарды есептеу режимінде жұмыс істейтін, МСД-2 жарық күші монохроматорының және "Нamamatsu" фирмасының Н 8259 типті фотоэлектрондық көбейткішінің көмегімен сканерлеуді жүзеге асырады.
Төмен температуралы деформация жағдайында сандық технология негізінде СГК-ның келесі спектрлік сипаттамалары тіркеледі:
• рентгенолюминесценция (РЛ),
• туннельді люминесценция (ТЛ),
• термоынталандырылған люминесценция (ТЫЛ),
• туннельді люминесценцияның уақытқа тәуелділігі
• термоынталандырылған люминесценция спектрлері.
Спектрлерді сканерлеу жылдамдығы: 50, 25, 10, 5, 1 нм/с.
Кристалдардың сәулеленуі РУП-120 рентген қондырғысынан 3 мА, 120 кВт режимінде жүзеге асырылады.
80÷500 К кезінде кристалдардың деформациясына арналған криостат. Криостат ҚР-да патенттелген
Криостат кристалдардың люминесценттік-абсорбциялық сипаттамаларын (жұтылу, қозу, сәулелену, рентгенолюминесценция, термоынталандырылған люминесценция, туннельдік люминесценция, термоынталандырылған деполяризация токтары және иондық өткізгіштік спектрлері) деформацияға дейін, сондай-ақ температураның кең интервалында (80÷500 К) әр түрлі дәрежедегі (0 ≤ ε ≤ 10%) серпімді және пластикалық деформацияға ұшыраған кезде өлшеуге мүмкіндік береді.
Криостаттағы кристалдың деформация дәрежесі (6) сығымдаушы бұранданың қадамымен (7) белгіленеді және мынадай формула бойынша айқындалады:
мұндағы l0 – микрометрмен немесе микроскоппен өлшенетін деформацияға дейінгі кристалдың бастапқы ұзындығы, l – деформациядан кейінгі кристалдың ұзындығы.
Сығымдаушы бұранданың (7) қадамы 1 мм. Бұл сығымдаушы бұранданың толық айналымымен кристалл 1 мм (Δl =1 мм) деформацияланатынын білдіреді.
Криостаттың құрылымы кристалдың салыстырмалы деформациясының берілген дәрежесі бойынша тәжірибелік түрде анықтауға мүмкіндік береді (мысалы, ε = 0,5%, 1,0 %, 1,5% және т. б.)
Мысалы, ұзындығы = 8 мм NaCl кристалының e =1,0% дейін деформациялау үшін =0,08 мәні қажет, ол сатыланған қисығы бойынша, кристалл ұстағышты түйіспелі бекіту нүктесінен (орнынан) 2 см (L = 2 см) бұру арқылы беріледі.
Сурет 2.10 – кристалдардың салыстырмалы деформация дәрежесін эксперименттік анықтауға арналған сатыланған қисығы
Термобелсендірілген спектроскопия бойынша эксперименттік қондырғы
Қондырғы кристалдардың иондық өткізгіштігі мен термоынталандырылған деполяризация токтарын температура режимін және төмен температуралық деформацияны жүзеге асыратын мамандандырылған криостаттың үйлесімінде -196°С-тан 350°С-қа дейінгі температуралардың кең интервалында тіркеуге мүмкіндік береді. Қондырғы ВУП-4 стандартты вакуумдық бекетінің негізінде құрастырылған. Техникалық вакуум деңгейіне екі қадам арқылы қол жеткізіледі: форвакуумды сорғылау 10-2 Торрға дейін, содан кейін диффузиялық сорғылау 10-5 Торрға дейін.
СГК термоынталандырылған деполяризация токтарының спектрлерінде дипольдік ақаулардың поляризация токтары анықталды. (Ua+Uc) дивакансияларды қалыптастыратын, пластикалық деформацияның температуралардың кең интервалында(80 – 500 К) әсер етуінен кейін СГК поляризациялық дипольдік токтарды тіркеудің мұндай тәсілі өнертабыстық өтінім түрінде рәсімделген.
Берілген өнертабыста қол жеткізілген техникалық нәтиже – СГК поляризациялық дипольді ақауларды тіркеу және олардың максималды дезориентациялық температурасын 80К-ден 500К-ге дейінгі температуралық диапазондағы сызықты қыздыру арқылы жүзеге асырылатын термоынталандырылған деполяризация токтарының спектрінің шыңдарынан анықтау әдісі.
Осыған орай, эксперименттік қондырғы иондық өткізгіштік пен термоынталандырылған деполяризация токтарын сілтілігалоидты кристалдар болып табылатын диэлектрлік материалдардың кең температуралық диапазонында (80 – 500 К) тіркеуге мүмкіндік береді.
СДЛ-2 спектрлік кешенінің базасында люминесцентті спектроскопияны эксперименттік қондырғы
МДР-12 қоздырғыш монохроматорының және МДР-23 (МСД-2) тіркегіш монохроматорларының көмегімен СДЛ-2 негізінде люминесценттік спектроскопия бойынша спектрлік кешен "Hamamatsu" фирмасының ФЭК көмегімен спектрдің кең интервалында фотондарды есептеу режимінде СГК люминесценциясының барлық түрлерінің спектрлерін автоматты тіркеуді жүзеге асыруға мүмкіндік береді.
Бұл мәселелерді шешу үшін тұтас жарық көзі қолданылады – 200 нм-ден 850 нм-ге дейінгі үздіксіз спектрді шығаратын ДКсШ-150 ксенон шамы. СГК люминесценция спектрлерін сканерлеудің дұрыстығы қарқынды және тұрақты жарық ағынын қамтамасыз ететін жарық көзіне тікелей байланысты.
Осы мақсатта стандартты спектрлік кешеннің құрамына кіретін ксенон шамы Hamamatsu EQ-99X LDLS лазерлік көзімен ауыстырылды, ол 170-2100 нм спектрлік диапазонда жоғары тұрақтандырылған және қарқынды жарық ағынын шығарады, бұл СГК люминесцентті сипаттамаларын жоғары дәлдікпен тіркеуді қамтамасыз етеді.
Спектрлік кешенде иондаушы сәулелену көзінің екі түрі қарастырылған – СГК аниондық экситондардың қозуына сәйкес келетін фотондар энергиясы бар ультракүлгін жарық (S) және рентген радиациясы.
Спектрлік диапазоны 180 нм-ден 1200 нм-ге дейін болатын ауыспалы дифракциялық торлы спектрлік кешен заттардың (кристалдар, сұйықтар мен газдар) оптикалық жұтылу, қозу және сәулелену спектрлерін тіркеп, осы спектрлердің уақыт бойынша кинетикасын ойнатуға мүмкіндік береді.
Абсорбциялық спектроскопия бойынша эксперименттік қондырғы
Автоматты тіркеуші спектрофотометр 190-900 нм (6,5-1,4 эВ) – спектрлік диапазонда заттардың (кристалдар мен сұйықтар, газдар) өткізу спектрлері мен оптикалық жұтылуын талдауға мүмкіндік береді.
Стандартты спектрофотометрлермен салыстырғанда құрылғы екісәулелі оптикалық схемамен қамтылған. Кіріктірілген компьютерлік бағдарлама түрлі жылдамдықты берілген спектрлік интервалда спектрлердің тіркелуін қамтамасыз етіп, уақыт бойынша кинетикасын ашып көрсетуге мүмкіндік береді. Құрылғының келесідей ерекшелігі бар, ол заттың оптикалық тығыздығын 4 бірлікке дейін тіркейді, ал бұған ұқсас өзге құрылғылар тек 1,4 бірлікке дейін тіркей алады.
Kid 21 Innovative Electrohydraulic жүйелерін орнату
Қондырғы сұйық ортаға орналастырылған арнайы электродтар арқылы циклді түрде шығарылатын жинақтаушы конденсаторы бар басқарылатын жоғары кернеу көзі болып табылады.
Құрылғыны құру үшін физика-техникалық факультеттің ғалымдары заманауи элементтік базада сақтау конденсаторының заряды кезінде пайда болатын жүздеген килоампердің импульстік токтарына төтеп бере алатын құрылғының электр тізбегін жобалау және өндіру бойынша бірқатар мәселелерді шешті.
Тапсырыс берушінің қондырғыны қолданудың негізгі бағыттарының бірі – диатомит шикізатын байытудың электрогидравликалық әдісін жасау, оның мәні сұйық ортада қысқа және өте күшті электр разрядымен пайда болатын плазма энергиясын қолдана отырып, кен фракцияларын бөлу болып табылады.
